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HUF75333S3
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-HUF75333S3 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | HUF75333S3 |
| Hersteller / Marke: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | HUF75333G3/P3/S3S/S3 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
HUF75333S3
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-262AA |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 66A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | HUF75333S3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 20V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 55V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262AA |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 66A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 400 |
|---|
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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor
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