HUF75637S3S

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HUF75637S3S

EXSHINE Artikelnummer:EX-HUF75637S3S
Hersteller Artikelnummer:HUF75637S3S
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:HUF75637P3, HUF75637S3S
Anwendung:-
Gewicht:-
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HUF75637S3S
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB)
Serie UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 44A, 10V
Verlustleistung (max) 155W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer HUF75637S3S
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 20V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 100V 44A (Tc) 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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