HUFA75329D3ST

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HUFA75329D3ST

EXSHINE Artikelnummer:EX-HUFA75329D3ST
Hersteller Artikelnummer:HUFA75329D3ST
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:HUFA75329D3/D3S
Anwendung:-
Gewicht:-
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HUFA75329D3ST
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA
Serie UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max) 128W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer HUFA75329D3ST
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 20V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)

Andere

Standardpaket 2,500

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