HUFA76419S3S

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HUFA76419S3S

EXSHINE Artikelnummer:EX-HUFA76419S3S
Hersteller Artikelnummer:HUFA76419S3S
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:HUFA76419P3, HUFA76419S3S
Anwendung:-
Gewicht:-
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HUFA76419S3S
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB)
Serie UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (max) 75W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer HUFA76419S3S
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 29A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)

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