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EXSHINE Artikelnummer: | EX-1N1183AR |
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Hersteller Artikelnummer: | 1N1183AR |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | 1N1183A thru 1N1190ARDO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 40A |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50V |
Supplier Device-Gehäuse | DO-5 |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Andere Namen | 1N1183ARGN |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 200°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | 1N1183AR |
Expanded Beschreibung | Diode Standard, Reverse Polarity 50V 40A Chassis, Stud Mount DO-5 |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 50V |
Strom - Richt (Io) | 40A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Standardpaket | 5 |
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Andere Namen | 1N1183ARGN |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.