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1N5829R

EXSHINE Artikelnummer:EX-1N5829R
Hersteller Artikelnummer:1N5829R
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:1N5829~5831RDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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1N5829R
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 580mV @ 25A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20V
Supplier Device-Gehäuse DO-4
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse DO-203AA, DO-4, Stud
Andere Namen 1N5829RGN
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer 1N5829R
Expanded Beschreibung Diode Schottky, Reverse Polarity 20V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
Diodentyp Schottky, Reverse Polarity
Beschreibung DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2mA @ 20V
Strom - Richt (Io) 25A
Kapazität @ Vr, F -

Andere

Andere Namen 1N5829RGN
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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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