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EXSHINE Artikelnummer: | EX-FR16JR05 |
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Hersteller Artikelnummer: | FR16JR05 |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | FR16B05~JR05DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 16A |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | DO-4 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 500ns |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Andere Namen | FR16JR05GN |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | FR16JR05 |
Expanded Beschreibung | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 16A Chassis, Stud Mount DO-4 |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25µA @ 100V |
Strom - Richt (Io) | 16A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Standardpaket | 5 |
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Andere Namen | FR16JR05GN |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.