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GB01SLT12-220
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-GB01SLT12-220 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | GB01SLT12-220 |
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | GB01SLT12-220 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
GB01SLT12-220
Auf Lager: 59030 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200V (1.2kV) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AC |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0ns |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
| Andere Namen | 1242-1125 GB01SLT12220 |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | GB01SLT12-220 |
| Expanded Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Through Hole TO-220AC |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 2µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Andere
| Andere Namen | 1242-1125 GB01SLT12220 |
|---|---|
| Standardpaket | 50 |
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Distributor von GeneSiC Semiconductor
- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.