EXSHINE Artikelnummer: | EX-GB20SLT12-247D |
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Hersteller Artikelnummer: | GB20SLT12-247D |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | GB20SLT12-247D |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200V (1.2kV) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Andere Namen | 1242-1316 |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | GB20SLT12-247D |
Expanded Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 25A Through Hole TO-247-3 |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50µA @ 1200V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 25A |
Standardpaket | 30 |
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Andere Namen | 1242-1316 |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.