EXSHINE Artikelnummer: | EX-KBJ25005G |
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Hersteller Artikelnummer: | KBJ25005G |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | KBJ25005G~2504GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannung - Spitzensperr- (max) | 50V |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | KBJ |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | 4-SIP, KBJ |
Andere Namen | 1242-1227 KBJ25005GGN KBJ25005GGN-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | KBJ25005G |
Expanded Beschreibung | Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole KBJ |
Diodentyp | Single Phase |
Beschreibung | DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 50V |
Strom - Richt (Io) | 25A |
Standardpaket | 300 |
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Andere Namen | 1242-1227 KBJ25005GGN KBJ25005GGN-ND |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.