KBU8M

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KBU8M

EXSHINE Artikelnummer:EX-KBU8M
Hersteller Artikelnummer:KBU8M
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:KBU8J~8MBR-3,6,8,10; KBPC-W;KBU Pkg Dwg
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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KBU8M
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Produktparameter

Spannung - Spitzensperr- (max) 1000V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A
Technologie Standard
Supplier Device-Gehäuse KBU
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 4-SIP, KBU
Andere Namen 1242-1284
KBU8MGN
KBU8MGN-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Hersteller-Teilenummer KBU8M
Expanded Beschreibung Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole KBU
Diodentyp Single Phase
Beschreibung DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 1000V
Strom - Richt (Io) 8A

Andere

Standardpaket 300
Andere Namen 1242-1284

KBU8MGN

KBU8MGN-ND

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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