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MBR300200CT

EXSHINE Artikelnummer:EX-MBR300200CT
Hersteller Artikelnummer:MBR300200CT
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:MBR300150CT thru MBR300200CTR
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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MBR300200CT
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 150A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Twin Tower
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Hersteller-Teilenummer MBR300200CT
Expanded Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 150A Chassis Mount Twin Tower
Diodentyp Schottky
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3mA @ 200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 150A

Andere

Standardpaket 25

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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