MBR400150CT

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MBR400150CT

EXSHINE Artikelnummer:EX-MBR400150CT
Hersteller Artikelnummer:MBR400150CT
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:MBR400150CT thru MBR400200CTR
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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MBR400150CT
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880mV @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150V
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Twin Tower
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Hersteller-Teilenummer MBR400150CT
Expanded Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 200A Chassis Mount Twin Tower
Diodentyp Schottky
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3mA @ 150V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A

Andere

Standardpaket 25

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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