EXSHINE Artikelnummer: | EX-MSRT10060(A)D |
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Hersteller Artikelnummer: | MSRT10060(A)D |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | MSRT10060(A)D thru MSRT100100(A)D |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100A |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | MSRT10060(A)D |
Expanded Beschreibung | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower |
Diodentyp | Standard |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100A |
Standardpaket | 25 |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.