MURT40010R

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MURT40010R

EXSHINE Artikelnummer:EX-MURT40010R
Hersteller Artikelnummer:MURT40010R
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:MURT40005 thru 40020RThree Tower Pkg Drawing
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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MURT40010R
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V
Supplier Device-Gehäuse Three Tower
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 125ns
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Three Tower
Andere Namen MURT40010RGN
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Hersteller-Teilenummer MURT40010R
Expanded Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diodentyp Standard
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Beschreibung DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 400A (DC)

Andere

Andere Namen MURT40010RGN
Standardpaket 25

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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