MURTA600120

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MURTA600120

EXSHINE Artikelnummer:EX-MURTA600120
Hersteller Artikelnummer:MURTA600120
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:MURTA60060 thru MURTA600120R
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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MURTA600120
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 300A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V (1.2kV)
Supplier Device-Gehäuse Three Tower
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Three Tower
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Hersteller-Teilenummer MURTA600120
Expanded Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 300A Chassis Mount Three Tower
Diodentyp Standard
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Beschreibung DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25µA @ 1200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 300A

Andere

Standardpaket 18

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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