UFT7360M

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UFT7360M

EXSHINE Artikelnummer:EX-UFT7360M
Hersteller Artikelnummer:UFT7360M
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE GEN PURP 600V 70A D61-3M
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:UFT7340M thru UFT7360M
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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UFT7360M
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 35A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V
Supplier Device-Gehäuse D61-3M
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 90ns
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse D61-3M
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer UFT7360M
Expanded Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 70A Chassis Mount D61-3M
Diodentyp Standard
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 70A D61-3M
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 20µA @ 600V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 70A

Andere

Standardpaket 50

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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