EXSHINE Artikelnummer: | EX-23S05E-1HDCGI8 |
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Hersteller Artikelnummer: | 23S05E-1HDCGI8 |
Hersteller / Marke: | IDT (Integrated Device Technology) |
Kurze Beschreibung: | IC CLK BUFFER PLL HI DRV 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | IDT23S05EIDT Suffixes |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
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Art | Zero Delay Buffer |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Verhältnis - Eingang: Ausgang | 1:5 |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
PLL | Yes with Bypass |
Ausgabe | CMOS, LVTTL |
Andere Namen | IDT23S05E-1HDCGI8 IDT23S05E-1HDCGI8-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Zahl der Schaltkreise | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | 23S05E-1HDCGI8 |
Eingang | LVTTL |
Frequenz - Max | 200MHz |
Teiler / Multiplikator | No/No |
Differenzial - Eingang: Ausgang | No/No |
Beschreibung | IC CLK BUFFER PLL HI DRV 8-SOIC |
Andere Namen | IDT23S05E-1HDCGI8 IDT23S05E-1HDCGI8-ND |
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Standardpaket | 3,000 |
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- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.