23S05E-1HDCGI8

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23S05E-1HDCGI8

EXSHINE Artikelnummer:EX-23S05E-1HDCGI8
Hersteller Artikelnummer:23S05E-1HDCGI8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER PLL HI DRV 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT23S05EIDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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23S05E-1HDCGI8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Art Zero Delay Buffer
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:5
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
PLL Yes with Bypass
Ausgabe CMOS, LVTTL
Andere Namen IDT23S05E-1HDCGI8
IDT23S05E-1HDCGI8-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 23S05E-1HDCGI8
Eingang LVTTL
Frequenz - Max 200MHz
Teiler / Multiplikator No/No
Differenzial - Eingang: Ausgang No/No
Beschreibung IC CLK BUFFER PLL HI DRV 8-SOIC

Andere

Andere Namen IDT23S05E-1HDCGI8

IDT23S05E-1HDCGI8-ND
Standardpaket 3,000

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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