49FCT20805PYGI

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49FCT20805PYGI

EXSHINE Artikelnummer:EX-49FCT20805PYGI
Hersteller Artikelnummer:49FCT20805PYGI
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 1:5 166MHZ 20SSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:IDT49FCT20805
Anwendung:-
Gewicht:-
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.3 V ~ 2.7 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 20-SSOP
Serie 49FCT
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:5
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Ausgabe CMOS, LVTTL
Andere Namen 800-2426-5
IDT49FCT20805PYGI
IDT49FCT20805PYGI-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 2
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer 49FCT20805PYGI
Eingang CMOS, LVTTL
Frequenz - Max 166MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 166MHz 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang No/No
Beschreibung IC CLK BUFFER 1:5 166MHZ 20SSOP

Andere

Andere Namen 800-2426-5

IDT49FCT20805PYGI

IDT49FCT20805PYGI-ND
Standardpaket 64

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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