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4EA1250A0Z4BACUGI

EXSHINE Artikelnummer:EX-4EA1250A0Z4BACUGI
Hersteller Artikelnummer:4EA1250A0Z4BACUGI
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FREQUENCY SYNTHESIZER 10PIN
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT4EA1250A0Z4
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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4EA1250A0Z4BACUGI
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.5V
Art MEMS (Silicon)
Größe / Dimension 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Serie 4EA1250A0Z4
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, No Lead
Ausgabe CMOS, LVDS
Andere Namen IDT4EA1250A0Z4BACUGI
IDT4EA1250A0Z4BACUGI-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller-Teilenummer 4EA1250A0Z4BACUGI
Höhe 0.035" (0.90mm)
Funktion Enable/Disable
Frequenzstabilität ±50ppm
Frequenz - Ausgang 2 50MHz
Frequenz - Ausgang 1 125MHz, 150MHz, 200MHz, 250MHz
Expanded Beschreibung CMOS, LVDS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 2.5V 6-SMD, No Lead
Beschreibung IC FREQUENCY SYNTHESIZER 10PIN
Strom - Versorgung (Max) 130mA (Typ)
Strom - Versorgung (Aufnahme) (max) -

Andere

Standardpaket 50
Andere Namen IDT4EA1250A0Z4BACUGI

IDT4EA1250A0Z4BACUGI-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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