5V2310PGGI

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5V2310PGGI

EXSHINE Artikelnummer:EX-5V2310PGGI
Hersteller Artikelnummer:5V2310PGGI
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUF 1:10 200MHZ 24TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT5V2310
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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5V2310PGGI
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.3 V ~ 3.6 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 24-TSSOP
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:10
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Ausgabe LVTTL
Andere Namen 800-1990-5
IDT5V2310PGGI
IDT5V2310PGGI-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer 5V2310PGGI
Eingang LVTTL
Frequenz - Max 200MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 200MHz 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang No/No
Beschreibung IC CLK BUF 1:10 200MHZ 24TSSOP

Andere

Standardpaket 62
Andere Namen 800-1990-5

IDT5V2310PGGI

IDT5V2310PGGI-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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