621NILFT

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621NILFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-621NILFT
Hersteller Artikelnummer:621NILFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8VFQFPN
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:ICS621
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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621NILFT
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Produktparameter

Spannungsversorgung 1.14 V ~ 1.89 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 8-VFQFPN (2x2)
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:4
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-VFDFN Exposed Pad
Ausgabe LVCMOS
Andere Namen 800-2580-2
ICS621NILFT
ICS621NILFT-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 621NILFT
Eingang Clock
Frequenz - Max 200MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 200MHz 8-VFDFN Exposed Pad
Differenzial - Eingang: Ausgang No/No
Beschreibung IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8VFQFPN

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen 800-2580-2

ICS621NILFT

ICS621NILFT-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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