651MLF

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651MLF

EXSHINE Artikelnummer:EX-651MLF
Hersteller Artikelnummer:651MLF
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:ICS651
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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651MLF
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5000+:
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Produktparameter

Spannungsversorgung 1.425 V ~ 2.625 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie ClockBlocks™
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:4
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ausgabe Clock
Andere Namen 800-1087
800-1087-5
800-1087-ND
ICS651MLF
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 651MLF
Eingang Clock
Frequenz - Max 200MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 200MHz 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang No/No
Beschreibung IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC

Andere

Standardpaket 97
Andere Namen 800-1087

800-1087-5

800-1087-ND

ICS651MLF

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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