70T3509MS133BPG

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70T3509MS133BPG

EXSHINE Artikelnummer:EX-70T3509MS133BPG
Hersteller Artikelnummer:70T3509MS133BPG
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT70T3509M
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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70T3509MS133BPG
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.4 V ~ 2.6 V
Supplier Device-Gehäuse 256-CABGA (17x17)
Geschwindigkeit 133MHz
Serie -
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 256-BGA
Andere Namen 800-1379
IDT70T3509MS133BPG
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 36Mb (1M x 36)
Speicherformat SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer 70T3509MS133BPG
Schnittstelle Parallel
Beschreibung IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA

Andere

Andere Namen 800-1379

IDT70T3509MS133BPG
Standardpaket 3

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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