70T651S12BF8

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70T651S12BF8

EXSHINE Artikelnummer:EX-70T651S12BF8
Hersteller Artikelnummer:70T651S12BF8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC SRAM 9MBIT 12NS 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT70T651/9S
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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70T651S12BF8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.4 V ~ 2.6 V
Supplier Device-Gehäuse 208-CABGA (15x15)
Geschwindigkeit 12ns
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 208-LFBGA
Andere Namen IDT70T651S12BF8
IDT70T651S12BF8-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 9Mb (256K x 36)
Speicherformat SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 70T651S12BF8
Schnittstelle Parallel
Beschreibung IC SRAM 9MBIT 12NS 208CABGA

Andere

Standardpaket 1,000
Andere Namen IDT70T651S12BF8

IDT70T651S12BF8-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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