71V65803S100BGG

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71V65803S100BGG

EXSHINE Artikelnummer:EX-71V65803S100BGG
Hersteller Artikelnummer:71V65803S100BGG
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT71V65603/Z, IDT71V65803/Z
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Supplier Device-Gehäuse 119-PBGA (14x22)
Geschwindigkeit 100MHz
Serie -
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 119-BGA
Andere Namen IDT71V65803S100BGG
IDT71V65803S100BGG-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 9Mb (512K x 18)
Speicherformat SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 71V65803S100BGG
Schnittstelle Parallel
Beschreibung IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA

Andere

Andere Namen IDT71V65803S100BGG

IDT71V65803S100BGG-ND
Standardpaket 84

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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