7200L15SOGI

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7200L15SOGI

EXSHINE Artikelnummer:EX-7200L15SOGI
Hersteller Artikelnummer:7200L15SOGI
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC MEM FIFO 256X9 15NS 28-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT7200L/7201-02LAIDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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7200L15SOGI
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Produktparameter

Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC
Serie 7200
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung No
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.345", 8.77mm Width)
Andere Namen IDT7200L15SOGI
IDT7200L15SOGI-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 2.25K (256 x 9)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 7200L15SOGI
Funktion Asynchronous
FWFT Unterstützung No
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC MEM FIFO 256X9 15NS 28-SOIC
Datenrate 40MHz
Strom - Versorgung (Max) 80mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 15ns

Andere

Standardpaket 26
Andere Namen IDT7200L15SOGI

IDT7200L15SOGI-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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