7204L12SOG8

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7204L12SOG8

EXSHINE Artikelnummer:EX-7204L12SOG8
Hersteller Artikelnummer:7204L12SOG8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO 4KX9 12NS 28SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT7203-08IDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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7204L12SOG8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC
Serie 7200
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung No
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.345", 8.77mm Width)
Andere Namen IDT7204L12SOG8
IDT7204L12SOG8-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 36K (4K x 9)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 7204L12SOG8
Funktion Asynchronous
FWFT Unterstützung No
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO 4KX9 12NS 28SOIC
Datenrate 50MHz
Strom - Versorgung (Max) 120mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 12ns

Andere

Standardpaket 1,000
Andere Namen IDT7204L12SOG8

IDT7204L12SOG8-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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