7208L25JGI8

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7208L25JGI8

EXSHINE Artikelnummer:EX-7208L25JGI8
Hersteller Artikelnummer:7208L25JGI8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO 64KX9 25NS 32PLCC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT7203-08IDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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7208L25JGI8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Supplier Device-Gehäuse 32-PLCC (14x11.46)
Serie 7200
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung No
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 32-LCC (J-Lead)
Andere Namen IDT7208L25JGI8
IDT7208L25JGI8-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 576K (64K x 9)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 7208L25JGI8
Funktion Asynchronous
FWFT Unterstützung No
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO 64KX9 25NS 32PLCC
Datenrate 28.5MHz
Strom - Versorgung (Max) 120mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 25ns

Andere

Standardpaket 750
Andere Namen IDT7208L25JGI8

IDT7208L25JGI8-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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