72211L25PF8

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72211L25PF8

EXSHINE Artikelnummer:EX-72211L25PF8
Hersteller Artikelnummer:72211L25PF8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO 512X9 SYNC 25NS 32-TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT72421/722x1IDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72211L25PF8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Supplier Device-Gehäuse 32-TQFP (7x7)
Serie 7200
Retransmit Capability No
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 32-LQFP
Andere Namen IDT72211L25PF8
IDT72211L25PF8-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 4.5K (512 x 9)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72211L25PF8
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung No
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO 512X9 SYNC 25NS 32-TQFP
Datenrate 40MHz
Strom - Versorgung (Max) 35mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 15ns

Andere

Standardpaket 2,000
Andere Namen IDT72211L25PF8

IDT72211L25PF8-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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