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723651L20PFGI8

EXSHINE Artikelnummer:EX-723651L20PFGI8
Hersteller Artikelnummer:723651L20PFGI8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SYNC 2048X36 120QFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT723631/41/51
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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723651L20PFGI8
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750+:
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Produktparameter

Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Supplier Device-Gehäuse 120-TQFP (14x14)
Serie 7200
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 120-LQFP
Andere Namen IDT723651L20PFGI8
IDT723651L20PFGI8-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 72K (2K x 36)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 723651L20PFGI8
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung Yes
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SYNC 2048X36 120QFP
Datenrate 50MHz
Strom - Versorgung (Max) 400µA
Bus Directional Bi-Directional
Zugriffszeit 13ns

Andere

Standardpaket 750
Andere Namen IDT723651L20PFGI8

IDT723651L20PFGI8-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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