72V2103L15PFG

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72V2103L15PFG

EXSHINE Artikelnummer:EX-72V2103L15PFG
Hersteller Artikelnummer:72V2103L15PFG
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SUPERSYNCII 15NS 80-TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:IDT72V2103/13IDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72V2103L15PFG
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.15 V ~ 3.45 V
Supplier Device-Gehäuse 80-TQFP (14x14)
Serie 72V
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 80-LQFP
Andere Namen IDT72V2103L15PFG
IDT72V2103L15PFG-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 2.25M (128K x 18)(256K x 9)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72V2103L15PFG
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung Yes
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SUPERSYNCII 15NS 80-TQFP
Datenrate 66.7MHz
Strom - Versorgung (Max) 35mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 10ns

Andere

Standardpaket 45
Andere Namen IDT72V2103L15PFG

IDT72V2103L15PFG-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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