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72V261LA10PFG8

EXSHINE Artikelnummer:EX-72V261LA10PFG8
Hersteller Artikelnummer:72V261LA10PFG8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SS 8192X18 10NS 64TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT72V261LA,271LA
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72V261LA10PFG8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse 64-TQFP (14x14)
Serie 72V
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 64-LQFP
Andere Namen IDT72V261LA10PFG8
IDT72V261LA10PFG8-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 144K (16K x 9)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72V261LA10PFG8
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung Yes
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SS 8192X18 10NS 64TQFP
Datenrate 100kHz
Strom - Versorgung (Max) 55mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 6.5ns

Andere

Andere Namen IDT72V261LA10PFG8

IDT72V261LA10PFG8-ND
Standardpaket 750

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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