72V265LA20PF

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72V265LA20PF

EXSHINE Artikelnummer:EX-72V265LA20PF
Hersteller Artikelnummer:72V265LA20PF
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SS 16384X18 20NS 64-TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT SuffixesIDT72V255LA,265LA
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72V265LA20PF
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse 64-TQFP (14x14)
Serie 72V
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 64-LQFP
Andere Namen IDT72V265LA20PF
IDT72V265LA20PF-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 288K (16K x 18)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72V265LA20PF
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung Yes
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SS 16384X18 20NS 64-TQFP
Datenrate 50MHz
Strom - Versorgung (Max) 55mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 12ns

Andere

Andere Namen IDT72V265LA20PF

IDT72V265LA20PF-ND
Standardpaket 90

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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