EXSHINE Artikelnummer: | EX-72V3622L10PFG |
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Hersteller Artikelnummer: | 72V3622L10PFG |
Hersteller / Marke: | IDT (Integrated Device Technology) |
Kurze Beschreibung: | IC BIFIFO 256X36X2 10NS 120-TQFP |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | IDT72V3622/32/42 |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
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Supplier Device-Gehäuse | 120-TQFP (14x14) |
Serie | 72V |
Retransmit Capability | No |
Programmierbare Flags Unterstützung | Yes |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 120-LQFP |
Andere Namen | IDT72V3622L10PFG IDT72V3622L10PFG-ND |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichergröße | 9K (256 x 36) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | 72V3622L10PFG |
Funktion | Synchronous |
FWFT Unterstützung | Yes |
Erweiterungstyp | - |
Beschreibung | IC BIFIFO 256X36X2 10NS 120-TQFP |
Datenrate | 100MHz |
Strom - Versorgung (Max) | - |
Bus Directional | Bi-Directional |
Zugriffszeit | 6.5ns |
Standardpaket | 45 |
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Andere Namen | IDT72V3622L10PFG IDT72V3622L10PFG-ND |
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- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.