74FCT373CTSOG8

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74FCT373CTSOG8

EXSHINE Artikelnummer:EX-74FCT373CTSOG8
Hersteller Artikelnummer:74FCT373CTSOG8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC TRANSP LATCH OCTAL 20-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT54/74FCT373T/AT/CT
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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74FCT373CTSOG8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 4.75 V ~ 5.25 V
Supplier Device-Gehäuse 20-SOIC
Serie 74FCT
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Ausgabetyp Tri-State
Andere Namen IDT74FCT373CTSOG8
IDT74FCT373CTSOG8-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 74FCT373CTSOG8
Logiktyp D-Type Transparent Latch
Unabhängige Schaltkreise 1
Expanded Beschreibung D-Type Transparent Latch Channel 8:8 IC Tri-State 20-SOIC
Beschreibung IC TRANSP LATCH OCTAL 20-SOIC
Verzögerungszeit - Ausbreitung 2ns
Strom - hoch, niedrig 15mA, 48mA
Schaltung 8:8

Andere

Andere Namen IDT74FCT373CTSOG8

IDT74FCT373CTSOG8-ND
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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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