EXSHINE Artikelnummer: | EX-74FCT573CTQG |
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Hersteller Artikelnummer: | 74FCT573CTQG |
Hersteller / Marke: | IDT (Integrated Device Technology) |
Kurze Beschreibung: | IC TRANSP LATCH OCTAL 20-QSOP |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | IDT54/74FCT573T/AT/CT |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannungsversorgung | 4.75 V ~ 5.25 V |
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Supplier Device-Gehäuse | 20-QSOP |
Serie | 74FCT |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 20-SSOP (0.154", 3.90mm Width) |
Ausgabetyp | Tri-State |
Andere Namen | IDT74FCT573CTQG IDT74FCT573CTQG-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | 74FCT573CTQG |
Logiktyp | D-Type Transparent Latch |
Unabhängige Schaltkreise | 1 |
Expanded Beschreibung | D-Type Transparent Latch Channel 8:8 IC Tri-State 20-QSOP |
Beschreibung | IC TRANSP LATCH OCTAL 20-QSOP |
Verzögerungszeit - Ausbreitung | 1.5ns |
Strom - hoch, niedrig | 15mA, 48mA |
Schaltung | 8:8 |
Andere Namen | IDT74FCT573CTQG IDT74FCT573CTQG-ND |
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Standardpaket | 55 |
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- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.