74LVCH16373APAG

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-74LVCH16373APAG
Hersteller Artikelnummer:	74LVCH16373APAG
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC TRANSP LATCH 16BIT D 48-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	IDT74LVCH16373A IDT Suffixes
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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74LVCH16373APAG
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Beschreibung
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Produktparameter

Spannungsversorgung	2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse	48-TSSOP
Serie	74LVCH
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Ausgabetyp	Tri-State
Andere Namen	IDT74LVCH16373APAG IDT74LVCH16373APAG-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	74LVCH16373APAG
Logiktyp	D-Type Transparent Latch
Unabhängige Schaltkreise	2
Expanded Beschreibung	D-Type Transparent Latch Channel 8:8 IC Tri-State 48-TSSOP
Beschreibung	IC TRANSP LATCH 16BIT D 48-TSSOP
Verzögerungszeit - Ausbreitung	2.1ns
Strom - hoch, niedrig	24mA, 24mA
Schaltung	8:8

Andere

Standardpaket	39
Andere Namen	IDT74LVCH16373APAG IDT74LVCH16373APAG-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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