8402AKIT

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-8402AKIT
Hersteller Artikelnummer:	8402AKIT
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC FREQ SYNTHESIZER 32VFQFPN
Bleifreier Status / RoHS Status:	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	8402AKIT
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

8402AKIT
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannungsversorgung	3.135 V ~ 3.465 V
Art	Frequency Synthesizer
Supplier Device-Gehäuse	32-VFQFPN (5x5)
Serie	-
Verhältnis - Eingang: Ausgang	1:2
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	32-VFQFN Exposed Pad
PLL	Yes with Bypass
Ausgabe	LVCMOS, LVTTL
Andere Namen	ICS8402AKIT ICS8402AKIT-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise	1
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	3 (168 Hours)
Hersteller-Teilenummer	8402AKIT
Eingang	Crystal
Frequenz - Max	350MHz
Teiler / Multiplikator	Yes/No
Differenzial - Eingang: Ausgang	No/No
Beschreibung	IC FREQ SYNTHESIZER 32VFQFPN

Andere

Standardpaket	2,500
Andere Namen	ICS8402AKIT ICS8402AKIT-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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