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849N202CKI-017LFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-849N202CKI-017LFT
Hersteller Artikelnummer:849N202CKI-017LFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC TRANSLATOR UNIV FREQ 40VFQFN
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:ICS849N202FemtoClock NG UFT Order GuideTiming Fabric OverviewFemtoClock NG UFT Brief
Anwendung:-
Gewicht:-
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849N202CKI-017LFT
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.375 V ~ 3.465 V
Supplier Device-Gehäuse 40-QFN (6x6)
Serie FemtoClock® NG
Verhältnis - Eingang: Ausgang 2:2
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 40-VFQFN Exposed Pad
PLL Yes with Bypass
Ausgabe LVDS
Andere Namen ICS849N202CKI-017LFT
ICS849N202CKI-017LFT-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer 849N202CKI-017LFT
Eingang HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL
Frequenz - Max 644.53MHz
Teiler / Multiplikator Yes/No
Differenzial - Eingang: Ausgang Yes/Yes
Beschreibung IC TRANSLATOR UNIV FREQ 40VFQFN

Andere

Standardpaket 5,000
Andere Namen ICS849N202CKI-017LFT

ICS849N202CKI-017LFT-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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