851021AYLF

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851021AYLF

EXSHINE Artikelnummer:EX-851021AYLF
Hersteller Artikelnummer:851021AYLF
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 1:21 250MHZ 64TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:851021AYLF
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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851021AYLF
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 64-TQFP-EP (10x10)
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:21
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 64-TQFP Exposed Pad
Ausgabe HCSL
Andere Namen ICS851021AYLF
ICS851021AYLF-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer 851021AYLF
Eingang HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL
Frequenz - Max 250MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 250MHz 64-TQFP Exposed Pad
Differenzial - Eingang: Ausgang Yes/Yes
Beschreibung IC CLK BUFFER 1:21 250MHZ 64TQFP

Andere

Standardpaket 160
Andere Namen ICS851021AYLF

ICS851021AYLF-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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