8523BGILFT

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8523BGILFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-8523BGILFT
Hersteller Artikelnummer:8523BGILFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 2:4 650MHZ 20TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:8523BGILFT
Anwendung:-
Gewicht:-
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8523BGILFT
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Art Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer
Supplier Device-Gehäuse 20-TSSOP
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 2:4
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Ausgabe HSTL
Andere Namen ICS8523BGILFT
ICS8523BGILFT-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer 8523BGILFT
Eingang CML, HCSL, HSTL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL
Frequenz - Max 650MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 650MHz 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang Yes/Yes
Beschreibung IC CLK BUFFER 2:4 650MHZ 20TSSOP

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen ICS8523BGILFT

ICS8523BGILFT-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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