85311AMLFT

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85311AMLFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-85311AMLFT
Hersteller Artikelnummer:85311AMLFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:ICS85311
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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85311AMLFT
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.375 V ~ 3.465 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:2
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ausgabe ECL, LVPECL
Andere Namen ICS85311AMLFT
ICS85311AMLFT-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 85311AMLFT
Eingang HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL
Frequenz - Max 1GHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1GHz 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang Yes/Yes
Beschreibung IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 8SOIC

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen ICS85311AMLFT

ICS85311AMLFT-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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