89HPES6T6G2ZCAL

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-89HPES6T6G2ZCAL
Hersteller Artikelnummer:	89HPES6T6G2ZCAL
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC PCI SW 6LANE 6PORT 324-FCBGA
Bleifreier Status / RoHS Status:	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	IDT Suffixes IDT89HPES6T6G2
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

89HPES6T6G2ZCAL
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

Spannungsversorgung	3.3V
Supplier Device-Gehäuse	324-FCBGA (19x19)
Serie	PRECISE™
Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	324-BBGA, FCBGA
Andere Namen	IDT89HPES6T6G2ZCAL IDT89HPES6T6G2ZCAL-ND
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	4 (72 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	10 Weeks
Hersteller-Teilenummer	89HPES6T6G2ZCAL
Schnittstelle	PCI Express
Expanded Beschreibung	Switch Interfacing Interface 324-FCBGA (19x19)
Beschreibung	IC PCI SW 6LANE 6PORT 324-FCBGA
Anwendungen	Switch Interfacing

Andere

Standardpaket	84
Andere Namen	IDT89HPES6T6G2ZCAL IDT89HPES6T6G2ZCAL-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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