EXSHINE Artikelnummer: | EX-8P34S1208NBGI |
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Hersteller Artikelnummer: | 8P34S1208NBGI |
Hersteller / Marke: | IDT (Integrated Device Technology) |
Kurze Beschreibung: | IC CLK BUFFER 2:8 1.2GHZ 28VQFN |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | 1 |
Datenblatt herunterladen: | IDT8P34S1208I |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannungsversorgung | 1.71 V ~ 1.89 V |
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Art | Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer |
Supplier Device-Gehäuse | 28-VFQFPN (5x5) |
Serie | - |
Verhältnis - Eingang: Ausgang | 2:8 |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 28-WFQFN Exposed Pad |
Ausgabe | LVDS |
Andere Namen | 800-2761 IDT8P34S1208NBGI |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Zahl der Schaltkreise | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | 8P34S1208NBGI |
Eingang | CML, LVDS |
Frequenz - Max | 1.2GHz |
Expanded Beschreibung | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 1.2GHz 28-WFQFN Exposed Pad |
Differenzial - Eingang: Ausgang | Yes/Yes |
Beschreibung | IC CLK BUFFER 2:8 1.2GHZ 28VQFN |
Standardpaket | 490 |
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Andere Namen | 800-2761 IDT8P34S1208NBGI |
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- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.