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Zuhause > Produkte > Integrierte Schaltungen (ICs) > Uhr / Timing - Anwendungsspezifisch > 9DB403DGLFT
9DB403DGLFT

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9DB403DGLFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-9DB403DGLFT
Hersteller Artikelnummer:9DB403DGLFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC BUFFER 4OUTPUT DIFF 28-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:9DB403DGLFT
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
9DB403DGLFT
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Supplier Device-Gehäuse 28-TSSOP
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:4
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
PLL Yes
Ausgabe HCSL, LVDS
Andere Namen 800-1249-6
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 9DB403DGLFT
Hauptzweck PCI Express (PCIe)
Eingang HCSL
Frequenz - Max 400MHz
Differenzial - Eingang: Ausgang Yes/Yes
Beschreibung IC BUFFER 4OUTPUT DIFF 28-TSSOP

Andere

Andere Namen 800-1249-6
Standardpaket 1

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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