ADC1610S125F2-DB

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-ADC1610S125F2-DB
Hersteller Artikelnummer:	ADC1610S125F2-DB
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	BOARD DEMO FOR ADC1610S125F2
Bleifreier Status / RoHS Status:	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:	1
Datenblatt herunterladen:	ADC1610S Series
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

ADC1610S125F2-DB
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Versand
Verpackung

Produktparameter

Verwendetes IC / Teil	ADC1610S125
Mitgelieferter Inhalt	Board
Serie	-
Abtastrate (pro Sekunde)	125M
Leistung (Typ) @ Bedingungen	630mW @ 125MSPS
Andere Namen	IDTADC1610S125F2-DB IDTADC1610S125F2-DB-ND
Anzahl der Bits	16
Anzahl der A / D-Wandler	1
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	ADC1610S125F2-DB
Eingangsbereich	2 Vpp
Expanded Beschreibung	ADC1610S125 - 16 Bit 125M Samples per Second Analog to Digital Converter (ADC) Evaluation Board
Beschreibung	BOARD DEMO FOR ADC1610S125F2
Data Interface	SPI

Andere

Standardpaket	1
Andere Namen	IDTADC1610S125F2-DB IDTADC1610S125F2-DB-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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