ICS853S314AGILFT

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ICS853S314AGILFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-ICS853S314AGILFT
Hersteller Artikelnummer:ICS853S314AGILFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 2:4 2.7GHZ 20TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:ICS853S314I
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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ICS853S314AGILFT
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.375 V ~ 3.465 V
Art Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer
Supplier Device-Gehäuse 20-TSSOP
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 2:4
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Ausgabe ECL, LVPECL
Andere Namen 853S314AGILFT
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer ICS853S314AGILFT
Eingang ECL, HSTL, LVPECL
Frequenz - Max 2.7GHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 2.7GHz 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang Yes/Yes
Beschreibung IC CLK BUFFER 2:4 2.7GHZ 20TSSOP

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen 853S314AGILFT

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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