MC100ES60T22EFR2

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-MC100ES60T22EFR2
Hersteller Artikelnummer:	MC100ES60T22EFR2
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC XLATOR LVTT/LVCMOS-DIFF 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	MC100ES60T22EFR2
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

MC100ES60T22EFR2
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
Zahlung
Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannung - VCCB	-
Spannung - VCCA	-
Übersetzertyp	Mixed Signal
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	100ES
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ausgabetyp	Differential
Ausgangssignal	LVPECL
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Zahl der Schaltkreise	1
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	MC100ES60T22EFR2
Eingangssignal	LVCMOS, LVTTL
Eigenschaften	-
Expanded Beschreibung	Mixed Signal Translator Unidirectional 1 Circuit 2 Channel 8-SOIC
Beschreibung	IC XLATOR LVTT/LVCMOS-DIFF 8SOIC
Datenrate	-
Kanäle pro Stromkreis	2
Ladestrom	Unidirectional

Andere

Standardpaket	3,000

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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