MPC962305EF-1HR2

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-MPC962305EF-1HR2
Hersteller Artikelnummer:	MPC962305EF-1HR2
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC BUFFER ZD 1:5 3.3V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	MPC962305/09
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

MPC962305EF-1HR2
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannungsversorgung	3 V ~ 3.6 V
Art	Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-
Verhältnis - Eingang: Ausgang	1:5
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
PLL	Yes
Ausgabe	LVCMOS
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise	1
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	3 (168 Hours)
Hersteller-Teilenummer	MPC962305EF-1HR2
Eingang	LVCMOS
Frequenz - Max	133.33MHz
Teiler / Multiplikator	No/No
Differenzial - Eingang: Ausgang	No/No
Beschreibung	IC BUFFER ZD 1:5 3.3V 8-SOIC

Andere

Standardpaket	2,500

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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